سٹرنگ IV وکر ٹیسٹ درج ذیل معلومات فراہم کر سکتا ہے:
1. سٹرنگ اوپن سرکٹ وولٹیج (Voc) اور شارٹ سرکٹ کرنٹ (Isc) کی پیمائش۔
2. زیادہ سے زیادہ پاور وولٹیج (Vmpp)، کرنٹ (Impp)، اور زیادہ سے زیادہ پاور (Pmax) کی پیمائش۔
3. تار کی کارکردگی کی پیمائش۔
4. ماڈیول/سٹرنگ فل فیکٹر کی پیمائش۔
5. ماڈیول/سٹرنگ کے نقائص یا شیڈنگ کے مسائل کی شناخت۔
IV وکر ٹیسٹ کرنے سے پہلے، IV وکر ٹیسٹ ڈیوائس کی جانچ پڑتال کی جائے گی تاکہ یہ یقینی بنایا جا سکے کہ یہ ٹیسٹ کے تحت سرکٹ کے وولٹیج اور کرنٹ کے لیے مناسب درجہ بندی میں ہے۔ IV وکر ٹیسٹ سٹرنگ اوپن سرکٹ وولٹیج (Voc) اور شارٹ سرکٹ کرنٹ (Isc) حاصل کرنے کا ایک قابل قبول متبادل ہے۔ جہاں IV وکر ٹیسٹ کیا جاتا ہے، الگ الگ Voc اور Isc ٹیسٹ کی ضرورت نہیں ہے۔
ٹیسٹ کے تحت سٹرنگ کو الگ تھلگ اور IV وکر ٹیسٹ ڈیوائس سے جوڑنا چاہیے۔ اگر IV منحنی ٹیسٹ کا مقصد صرف Voc اور Isc کے لیے قدریں اخذ کرنا ہے، تو پھر شعاع ریزی (یا سیل کے درجہ حرارت) کی پیمائش کرنے کی کوئی ضرورت نہیں ہے۔
مناسب شعاع ریزی کے حالات کے پیش نظر، IV وکر ٹیسٹ اس بات کا اندازہ کرنے کا ایک ذریعہ فراہم کرتا ہے کہ PV سٹرنگ/ماڈیول کی کارکردگی ریٹیڈ (نیم پلیٹ) کی کارکردگی کو پورا کر رہی ہے۔ PV سٹرنگ اور ارے کی کارکردگی کی پیمائش کم از کم 400 W/m2 کی مستحکم شعاع ریزی کے حالات میں کی جائے گی جیسا کہ سرنی کے جہاز میں ماپا جاتا ہے۔ اگر پیمائش کا مقصد STC کے حوالے سے ہے (مقصد ماڈیولز/ارے کی نیم پلیٹ ریٹیڈ پاور کا حساب لگانا ہے) IEC60904-1 IEC 61829 معیار کے مطابق شعاع کم از کم 800 W/m2 ہو گی۔ (اوپر بیان کردہ نکات کے علاوہ) معائنہ کے سامان کی ضرورت کے لیے، معائنہ کا طریقہ کار، تشخیص، کم از کم ماحولیاتی حالات، اور آؤٹ ڈور IV وکر ٹیسٹنگ کرنے کے لیے درکار رپورٹنگ۔